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由于制备低阻ZnO时功率比较大(相对本征ZnO而言),故溅射对薄膜衬底轰击较大.为了尽量减少溅射带来的轰击影响,我们采用了孪生对靶直流溅射来制备低阻ZnO的工艺路线.通过XRD测量以及光学特性分析比较得出采用孪生对靶溅视比平面磁控溅射法优越.
用孪生对靶溅射低阻ZnO的研究
【摘 要】
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由于制备低阻ZnO时功率比较大(相对本征ZnO而言),故溅射对薄膜衬底轰击较大.为了尽量减少溅射带来的轰击影响,我们采用了孪生对靶直流溅射来制备低阻ZnO的工艺路线.通过XRD测
【机 构】
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南开大学光电子所(天津)
【出 处】
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2003年中国太阳能学会学术年会
【发表日期】
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2003年期
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