YFe0.5Cr0.5O3-X非晶薄膜电致阻变特性的研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sbsb5503564

【摘要】

：

非晶薄膜在原子尺度上更加均匀,可以使RRAM性能更稳定,YFe0.5Cr0.5O3-X的结晶温度高达1150℃,能在高温条件下制备出非晶薄膜,使其成为阻变存储器的理想材料.YFe0.5Cr0.5O3-X电致阻变的物理机制符合导电细丝模型,氧空位在其中起着至关重要的作用1.本文通过控制薄膜制备过程中的氧分压获得了具有不同氧空位浓度的样品,并系统研究了氧空位浓度对电致阻变特性的影响.

【作者】

：

胡昌王先杰隋郁宋波

【机构】

：

哈尔滨工业大学物理系,中国,哈尔滨,150080 哈尔滨工业大学物理系,中国,哈尔滨,150080

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

电致阻变导电细丝非晶薄膜钙钛矿氧化物

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