【摘 要】
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ZnO因其高达60 meV的激子束缚能和3.37 eV的禁带宽度,被认为是实现低阈值蓝紫光受激发射的首选材料.近年来,一些研究小组已经在ZnO基异质结[1]、MOS结构[2]中观察到了电
【机 构】
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中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,130033
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ZnO因其高达60 meV的激子束缚能和3.37 eV的禁带宽度,被认为是实现低阈值蓝紫光受激发射的首选材料.近年来,一些研究小组已经在ZnO基异质结[1]、MOS结构[2]中观察到了电泵浦的受激发射现象,但人们对于ZnO材料中激光的形成机制还没有统一的见解.本文中,我们通过MOCVD工艺在蓝宝石衬底上依次沉积了ZnO、MgO和Au,构成了金属-绝缘体-半导体结构,并在该结构中成功实现了电泵浦的随机激光.该随机激光的阈值电流仅为5.5mA.经分析我们认为,高的长径比更有利于随机激光的形成,
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