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石墨烯覆盖层可以调整支撑石墨烯基底的表面性能。我们通过第一原理计算深入研究了在电荷注入情况下金属基底和绝缘体基底上石墨烯覆盖层与水吸附分子之间的相互作用。发现注入正电荷可以加强铜基底上石墨烯覆盖层与水分子之间的吸附作用但负电荷却减弱了石墨烯与水分子之间的吸附作用。水分子和没有石墨烯覆盖的铜和云母基底之间吸附能以及水分子自身之间的结合能在电荷注入情况下具有和石墨烯覆盖情况下相似的趋势，但对电荷的反应更为强烈。这些结果揭示了石墨烯可以作为带电基底的钝化层并且提出了一种可行的调控石墨烯覆盖表面水吸附性能的途径。另外一种典型的二维晶体材料六方氮化硼具有和石墨烯相似的蜂窝状平面结构，表面功能化对于六方氮化硼应用于绝缘覆盖层具有重要的意义。通过第一原理计算，我们发现当表面上形成垂直的B-O键时铜基底支撑的氧化六方氮化硼单层会从绝缘体转变成金属性。铜基底向氧吸附原子的电荷转移使垂直的B-O键变得稳定。无论是在金属或绝缘体基底支撑的六方氮化硼单层表面上，对基底注入负电荷可以促使原来吸附在B-N键上的氧原子向形成垂直B-O键转变，而这样也会导致氧化六方氮化硼单层转变为金属性。这些结果提供了一种利用改变氧原子吸附位置来调控六方氮化硼覆盖层电学性能的可行途径。