用于MePⅢD装置的高压脉冲调制器

来源 :中国电源学会全国电源技术第十六届年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：siaonn

【摘要】

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介绍用于金属等离子体浸没离子注入与沉积(MePⅢD)装置高压脉冲调制器的电路结构,工作原理和技术指针.选用大功率高压调制四极管TM-703FA作为开关器件,输出脉冲电压5-70kV,脉

【作者】

：

王德泰;

【机构】

：

核工业西南物理研究院,成都,610041

【出处】

：

中国电源学会全国电源技术第十六届年会

【发表日期】

：

2005年期

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介绍用于金属等离子体浸没离子注入与沉积(MePⅢD)装置高压脉冲调制器的电路结构,工作原理和技术指针.选用大功率高压调制四极管TM-703FA作为开关器件,输出脉冲电压5-70kV,脉冲电流5-50A,脉冲宽度5-100μs,重复频率10-500Hz,脉冲上升时间小于1.5μs,平顶下降小于5％.

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