【摘 要】
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用化学气相淀积方法，以乙烯为碳源、硅烷为硅源，在Si（100）衬底上外延生长出了C组分达1.22％的Si1-yCy合金薄膜，研究表明：随着生长温度的降低，薄膜中替位式C组分增加。X射线衍射测量结
【机 构】
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南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京210093
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用化学气相淀积方法，以乙烯为碳源、硅烷为硅源，在Si（100）衬底上外延生长出了C组分达1.22％的Si1-yCy合金薄膜，研究表明：随着生长温度的降低，薄膜中替位式C组分增加。X射线衍射测量结果显示随着合金薄膜中替位式C含量的增大，薄膜的晶体质量得到改善；拉曼光谱显示C以替位式处于Si的格点位置，形成Si-C局域振动模，且随着替位式C的增加Si（TO）声子模发生蓝移，表明外延薄膜承受的张应力增大。
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