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本文采用适合宽禁带材料的ECV设备测量了自己在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.在此基础上,通过引入主扩散模型,对结果进行了高斯拟合,得出了硅在高温时(1030℃)在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅向量子阱及p层的扩散宽度.
GaN基外延片中的硅扩散
【摘 要】
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本文采用适合宽禁带材料的ECV设备测量了自己在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.在此基础上,通过引入主扩散模型,对结果进行了高斯拟合,得出了硅在高
【机 构】
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南昌大学教育部发光材料与器件研究中心(南昌)
【出 处】
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第八届全国LED产业研讨与学术会议
【发表日期】
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2002年期
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