【摘 要】
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在较低的烧结温度下(1450℃)制备出钡长石(BaAlSiO,BAS)含量为20WT℅～100WT℅的SiN/BAS陶瓷基复合材料，并对其进行了组织结构分析和力学性能式。通过EDS研究发现无金属离子因溶入β-SiN晶格。随着BAS含量升高，SiN的α-β相转变量增加。SiN/BAS复合材料的室温抗弯强度随BAS含量增加先增后降。在1000℃、1100℃和1200℃时分别测试了复合材料的高温抗弯强度
【机 构】
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哈尔滨工业大学材料科学与工程学院433信箱
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在较低的烧结温度下(1450℃)制备出钡长石(BaAl<2>Si<,2>O<,8>,BAS)含量为20WT℅～100WT℅的Si<,3>N<,4>/BAS陶瓷基复合材料，并对其进行了组织结构分析和力学性能式。通过EDS研究发现无金属离子因溶入β-Si<,3>N<,4>晶格。随着BAS含量升高，Si<,3>N<,4>的α-β相转变量增加。Si<,3>N<,4>/BAS复合材料的室温抗弯强度随BAS含量增加先增后降。在1000℃、1100℃和1200℃时分别测试了复合材料的高温抗弯强度。
其他文献
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曾有报道认为离子半径较小的Yb离子，在BaTiO中主要取代Ti位而表观为受主杂质，从而不能使BaTiO材料在空气中半导体。该文研究了YbO的掺杂行为，表明它同其它稀土杂质一样，可以使空气中烧成的BaTiO陶瓷半导化。在纯施主掺杂的BaTiO半导化陶瓷中，材料的升阻比随施主掺杂量的增加而降低，这是由于晶界上中性钡缺位浓度随施主掺杂量的增加而降低造成的。
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采用直接压痕法测定了一种TiCN颗粒强化AlO陶瓷复合材料的断裂韧性，发现在材料表面不同位置浊得的压痕韧性值不同，测试结果呈现出较大的离散性。这一离散性可能与材料表面显微结构的不均匀性有关。对100个测试数据进行的统计分析表明，压痕韧性服从Weibull分布。
该实验研究了以硝酸镧、硝酸镍为原料、柠檬酸为螯合剂的无机盐溶胶－凝胶法(ISG)合成LaNiO稀土复合氧化物陶瓷薄膜的工艺过程，讨论了烧成温度、预烧温度和拉膜次数对薄膜气敏性能的影响，结果表明；预烧温度和烧成温度为800℃，5-6次成膜的LaNiO薄膜的表面没有大的开裂，具有较快的响应速度。
采用VO做为添加剂，利用传统的氧化物法制备Mn-Zn铁氧体材料。其磁性能得到优化，磁导率μ=2400P；功率(100℃,16KHZ,150MT)=6MW/G，P(100℃,25KHZ,200MT)=18MW/G，P(100℃,200KHZ,200MT)=94MW/G，居里温度TC=220℃；饱和磁通BS=507MT；剩余磁通BR=87MT，矫顽力HC=12.6A/M；密度D=4.85G/CM；电阻
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以硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶－凝胶方法合成了稳定的溶胶，经过800℃，H气氛下处理之后。通过XRD分析可知形成单一组分的LaNiO薄膜。利用SEM对其表面状态进行观察。可见该薄膜具有很好的表面形貌。同时此LaNiO薄膜具有较好的气敏性。
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CuInSe(CIS)是很有希望的太阳电池料。采用高温工艺合成了黄铜矿型CIS多晶半导体材料，对CIS进行了EPMA、XRD、DTA、TEM等分析，发现高温合成CIS化学组成均一、Cu/In/Se比值近于化学计量比；结构属黄铜矿型，四方晶系；溶点及相转变温度分别为T=984℃，T=796～807℃；CIS中存在着由离子空位引起的四方晶格畸变。CIS的组成、结构及结构缺陷是影响CIS光伏性能的重要因