【摘 要】
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自旋阀结构由于具有低饱和磁场和较高的磁灵敏度,已成为磁头和磁存储领域中最具应用前景的巨磁电阻材料.与物理法相比,电化学方法具有设备简单、成本低廉、操作可控等优势,是
【机 构】
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天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津,300072,中国
【出 处】
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2006年绿色化学科学与工程和过程系统工程国际论坛
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自旋阀结构由于具有低饱和磁场和较高的磁灵敏度,已成为磁头和磁存储领域中最具应用前景的巨磁电阻材料.与物理法相比,电化学方法具有设备简单、成本低廉、操作可控等优势,是制备巨磁电阻薄膜材料的优良途径.本论文首次采用双槽控电位电沉积法在n-Si(111)晶面上制备了[Ni80Fe20/Cu/Co/Cu]n自旋阀多层膜,利用X射线衍射(XRD)对多层膜的超晶格结构和生长取向进行了表征.采用四探针法研究了自旋阀的巨磁电阻性能,并通过振动样品磁强计(VSM)测试了自旋阀的磁滞回线.当自旋阀的结构为[NiFe(2.8nm)/Cu(3.6nm)/ Co(1.2nm)/Cu(3.6nm)]30时,巨磁电阻(GMR)值可达 5.4％,对应的磁电阻灵敏度SV为 0.2％/Oe,饱和磁场仅为 350Oe.自旋阀多层膜的GMR值起初随着铜层厚度的增加而增大,并发生周期性振荡,当Cu层厚度大于 3.6nm时,GMR值逐渐减小.
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