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前表面n型非晶硅的厚度对电池性能有影响;前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运;当n型非晶硅厚度为5nm，能带宽度大于1.92eV时，模拟得到电池的效率大于25％。在前表面结构优化的情况下，利用硬掩膜技术进行了SHJ-IBC电池的制备，最终得到了19.8%的电池转换效率。
前表面掺杂非晶硅的特性对异质结-背接触(HBC)电池性能的影响
【摘 要】
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前表面n型非晶硅的厚度对电池性能有影响;前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运;当n型非晶硅厚度为5nm，能带宽度大于1.92eV时，模拟得到电池的效率大于25％。在前表面结构优化的情况下，利用硬掩膜技术进行了SHJ-IBC电池的制备，最终得到了19.8%的电池转换效率。
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2018年11期
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