【摘 要】
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利用椭圆偏振仪(EL)、傅立叶红外光谱(FTIR)研究了SiGeC合金分别在在900℃和1000℃干氧气氛下所形成的氧化物的生长动力学.结果表明:在900℃氧化时,随着合金中的替代碳含量的
【机 构】
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硅材料国家重点实验室,浙江大学(杭州)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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利用椭圆偏振仪(EL)、傅立叶红外光谱(FTIR)研究了Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金分别在在900℃和1000℃干氧气氛下所形成的氧化物的生长动力学.结果表明:在900℃氧化时,随着合金中的替代碳含量的增加,氧化速率逐渐下降;而在1000℃下氧化超过10分钟后,Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金的氧化基本上与碳的含量无关,与Si<,1-x>Ge<,x>的行为一致.这主要是由于在1000℃比较长时间的氧化过程中,替代位的碳逐渐析出形成β-SiC沉淀,失去了对氧化过程的影响作用.我们研究表明对于Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>薄膜和器件的应用来说,氧化的温度必须要小于1000℃.
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