【摘 要】
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本文考虑到电场对AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于quasi-2-D模型,对AlGaN/AlN/GaN HFETs的I-V特性进行了模拟计算
【机 构】
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School of Physics, Shandong University, Jinan.250100, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文考虑到电场对AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于quasi-2-D模型,对AlGaN/AlN/GaN HFETs的I-V特性进行了模拟计算,结果表明,使用修正后的迁移率模型计算得到的I-V特性与测试曲线拟合得较好。对线性区内2DEG电子迁移率随漏源偏压和沟道电场的变化进行了分析,发现在较高的漏源偏压和沟道电场下,应变极化梯度库仑场散射对AlGaN/AlN/GaN HFETs的电子迁移率仍起重要作用,随漏源偏压和沟道电场的增加,2DEG面密度降低,极化梯度库仑场散射增强,迁移率降低。此外,栅长不同,应变极化梯度库仑场散射的影响也不同。
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