【摘 要】
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提出了一种具有极高热稳定性的新型金属栅/高K栅介质结构-HfN/HfO2栅结构。利用所提出的具有极高热稳是性的HfN/HfO2栅结构，结合Si表面氮化技术，制备了世界上等效氧化层厚度(EOT)取薄的HfO2高K栅介质(EOT-0.65nm)；利用HfN/HfO2栅结构技术成功制备了EOT<1nm的NM0SFET，其沟道电子有效迁移率性能优于国际上己发表的同类器件结果；提出一种新的双金属栅/高K栅介
【机 构】
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北京大学微电子研究院,北京 100871
【出 处】
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中国科学院技术科学论坛第十、十一次学术报告会
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提出了一种具有极高热稳定性的新型金属栅/高K栅介质结构-HfN/HfO2栅结构。利用所提出的具有极高热稳是性的HfN/HfO2栅结构，结合Si表面氮化技术，制备了世界上等效氧化层厚度(EOT)取薄的HfO2高K栅介质(EOT-0.65nm)；利用HfN/HfO2栅结构技术成功制备了EOT<1nm的NM0SFET，其沟道电子有效迁移率性能优于国际上己发表的同类器件结果；提出一种新的双金属栅/高K栅介质与CMOS器件集成工艺，可满足低压低功耗CMOS器件集成需要。
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