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本文主要就氮化硼带晶体作为为半导体材料和光电子材料这两方面进行了介绍。虽然cBN和hBN具有广阔的应用前景，但是要使前景变为现实，还有许多困难需要克服。最主要的困难是材料的制作和器件的欧姆接触问题。最近，人们己经采用MOCVD技术在直径2英寸的蓝宝石衬底上成功制备出结晶质量良好的hBN外延层，并实现了有效的P型掺杂，室温下电阻率仅为12 Ω·cm。相信在不久的将来，随着cBN和hBN的单晶和薄膜生长技术的不断完善和发展，它们必将在半导体器件产业发展中大显身手。