论文部分内容阅读
TiO<,2>存在下Cr（VI）-4CP体系中的紫外光致反应的研究
【机 构】
：
科学院兰州化学物理研究所羰基合成与选择氧化国家重点实验室
【出 处】
：
第九届全国催化学术会议
【发表日期】
：
1998年期
其他文献
综述了近三四年来ＴｉＡｌ基复合材料在复合方法、界面反应与界面稳定性以及力学性能诸方面的研究进展。在分析已有数据的基础上，强调了纤维尺寸与涂层对改善ＴｉＡｌ基复合材料力学性能的作用
TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一.研究了剥离工艺(lift-off)用于TiNi薄膜图形化的可行性,并首次利用溅射的金属Pt作掩膜进行TiNi薄膜湿法腐蚀.结
利用示差扫描热分析仪、扫描电镜和能谱仪系统研究了Ｎｉ含量和时效对ＴｉＮｉ形状记忆合金Ｒ、马氏体相变温度，相变热滞的影响。结果表明，马氏体相变温度和热滞与Ｎｉ含量和时效工艺有关。Ｒ相变温
用ＤＣＰＣＶＤ法在ＷＣ基硬质合金上沉积ＴｉＮ薄膜，对膜的晶体取向、膜中杂质元素氯的存在形态和薄膜的宏观应力状态进行了研究。晶体取向取决于沉积方法和工艺条件。氯以钛的低价氯化物ＴｉＣｌ〈，ｘ〉（ｘ＜４）的形态
用三靶直流反应磁控溅射仪,通过改变玻璃基片温度(350～500℃),在浮法玻璃上镀膜,制备了玻璃/TiO/TiN/TiO阳光控制镀膜玻璃.用Beckman UV 5240 光谱仪和X射线光电子能谱仪(XPS)
文章研究了多弧离子镀制备Ti-N膜的重要工艺参数：磁场、弧电流、偏压和氮气流量对膜层质量的影响，详细了它们的影响膜层特性的原因。实验证明：提高弧电流的同时，抑制液滴的产生，是
根据锌合金熔点低的特点，主要从膜层的相结构、膜层的表面形貌以及膜层的附着力等三方面，深入地研究了沉积TiN装饰膜的工艺。文中指出：弧电流40A、氮气分压2.5-4Pa、负偏压300～35
该文采用循环伏安法研究了由水相溶胶－凝胶途径制得的ＴｉＯ〈，２〉薄膜的电致变色特性，在１ＭＨＣＩ溶 ，经１５０℃和３５０℃处理的ＴｉＯ〈，２〉薄膜在６３０ｎｍ处的着色效率分别为８．８、４．９ｃｍ〈’２〉／Ｃ，但循环稳定性都较差，在１ＭＬｉＣｌＯ〈，４〉的碳酸丙烯
采用多弧离子镀技术对W6Mo5Cr4V2材料制造的高速冷挤压模进行TiN涂层处理，并对涂层的表面硬度、滑动摩擦系数和冲击磨损性能进行了分析与讨论。结果表明：涂层的高硬度、低摩擦