【摘 要】
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为了满足功率模块在高功率高效率应用领域的要求,研制了一种由碳化硅(SiC)结势垒肖特基二极管(JBS)与硅(Si)基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)混合封装而成的百千瓦级功率模块
【机 构】
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Power Electronics Business Unit, Zhuzhou CSR Times Electric Co.,Ltd, Hunan, Zhuzhou 412000
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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为了满足功率模块在高功率高效率应用领域的要求,研制了一种由碳化硅(SiC)结势垒肖特基二极管(JBS)与硅(Si)基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)混合封装而成的百千瓦级功率模块该碳化硅混合功率模块的正向导通电流为480A,反向阻断电压为1200V.通过动态测试表明,峰值反向恢复电流(In)仅为-115A.关断延迟时间(td coφ)为3.36μs,关断能量损耗(Eo(n))为296.82mJ,开通延迟时间(tdcoφ)仅为0.661μS,开通能量损耗(Eon)仅为242.27mJ,模块开通瞬间峰值电流(Ic)仅为640A,输出功率达到百千瓦级别。与传统的硅基IGBT模块相比,该碳化硅混合功率模块大大降低了模块的开通损耗。
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