WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

• 作 者: 刘伟吉 曾庆明 李献杰 敖金平
• 机 构: 信息产业部电子第十三研究所(石家庄)
• 出 处: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2000年期
• 关键词: 难熔栅自对准工艺 增强型 异质结场效应晶体管 反向击穿电压 阈值电压 逻辑电路 退火 跨导 基础 互补 沟道

发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850℃下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的-3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。