【摘 要】
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室温高漏电流密度是阻碍BiFeO3薄膜高铁电性能获取的主要瓶颈.近年来,我们发现多层复合结构的构建能有效地降低BiFeO3薄膜的漏电流密度且能大幅度提高其铁电性能[J.Mater
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院,四川,成都 610064
【出 处】
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第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议
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室温高漏电流密度是阻碍BiFeO3薄膜高铁电性能获取的主要瓶颈.近年来,我们发现多层复合结构的构建能有效地降低BiFeO3薄膜的漏电流密度且能大幅度提高其铁电性能[J.Mater.Chem.21(20),7308-7313(2011)；J.Am.Ceram.Soc.94,[12]42914298(2011)].研究结果表明在Pt与BiFeO3之间引入具有高电阻且铁电性能更好的同质层是增强BiFeO3薄膜铁电性能的有效途径.在本报告中,通过构建高电阻且具较好铁电性能的BiFeO3作为同质层,利用射频磁控溅射制备出了BiFeO3同质多层复合薄膜.研究结果表明该多层复合薄膜既具有低的室温漏电流又具有高的铁电性能,其剩余极化值(Pr)优于70μC/cm2.
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