【摘 要】
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目前，对于硅基太阳能电池，选择性掺杂已成为研制高效率电池不可避免的一步工艺，例如选择性发射级电池中电极处的重掺杂使得电极处能够形成良好的欧姆接触，非电极处的轻掺杂有
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京,100083
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目前，对于硅基太阳能电池，选择性掺杂已成为研制高效率电池不可避免的一步工艺，例如选择性发射级电池中电极处的重掺杂使得电极处能够形成良好的欧姆接触，非电极处的轻掺杂有利于减少表面复合，以实现太阳能电池的高的开路电压和短路电流；新型的背接触电池需要在电池背面同时有P区掺杂和N区掺杂，也需要借助选区掺杂技术，而传统的基于热扩散的掺杂技术，需要掩蔽、二次高温等工艺增加了成本和工艺难度，采用激光掺杂是进行局域选择区域掺杂的有效手段，对开展高效率、低成本电池研究有重要的意义.本论文利用纳秒脉冲激光器实现了晶体硅衬底上的磷元素选择性掺杂，并进行方块电阻、吸收率曲线、表面轮廓和少子寿命的表征.实验中选择在P型单晶硅表面均匀旋涂和丝网印刷了磷墨，在能量接近硅融化阈值的激光脉冲作用下，磷墨中的磷会掺杂到硅中的活性区域，在室温下形成了选择性掺杂区域，可以控制掺杂深度小于0.5微米.研究发现磷在硅中的掺杂情况与激光的扫描速度和功率等参数关系很大，扩散进入硅中磷的浓度与激光通量在一定通量范围内成正比关系；吸收率曲线测试显示在15W激光功率下吸收谱相对于裸硅有明显提升，说明激光掺杂在吸收率上也有明显效果；3D显微镜观察显示激光掺杂的表面为一个个内凹的圆，四探针测试显示方阻的均匀性很好.
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