【摘 要】
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通过理论研究和PIC数值模拟的方法,分析了小阳极腔区结构无箔二极管的Ⅰ-Ⅴ特性,得到了束流强度变化的基本规律和结构影响因子的可调节范围.研究发现,小阳极腔区结构下,当阴
【机 构】
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西北核技术研究所,陕西 西安 710024
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通过理论研究和PIC数值模拟的方法,分析了小阳极腔区结构无箔二极管的Ⅰ-Ⅴ特性,得到了束流强度变化的基本规律和结构影响因子的可调节范围.研究发现,小阳极腔区结构下,当阴阳极间距大于0时,无箔二极管的结构影响因子随着阳极腔区半径的增大而减小并逐渐趋于稳定,且对于较小的阴极外半径、较大的漂移管半径、较大的阴阳极间距,达到稳定后的结构影响因子越小,并定性的给出了考虑阳极腔区结构影响时结构影响因子的可调节范围.最后在可重复运行脉冲电子加速器"TPG700"上开展了初步实验研究,对实验中的回流电子束进行数值模拟分析并去除其影响以后,实验结果很好的符合了理论分析给出的结论.
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