功率集成电路中抗串扰新隔离结构

来源 :第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zfz508

【摘要】

：

提出一种VDMOS与低压控制电路之间抗串扰的新隔离结构。通过二维器件仿真软件MEDICI验证,能够有效防止VDMOS漏极反偏造戍的衬底电流进入CMOS电路,CMOS电路中出现闩锁效应时的VDMOS漏端电压从-1V提高到-4V,已经应用于一款功率集成电路中,经过初步验证,具有一定应用价值。

【作者】

：

刘哲方健周贤达刘伦友毛焜张弦张正元冯志诚张波

【机构】

：

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 模拟集成电路国家级重点实验室,

【出处】

：

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

【发表日期】

：

2007年10期

【关键词】

：

功率集成电路隔离结构仿真分析闩锁效应

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

铬硅薄膜电阻跟踪特性研究

通过对铬硅薄膜电阻变化机理的研究，分析了可能影响薄膜电阻跟踪特性的几个因素：光刻方式、退火处理温度和时间以及激光修调等，最终研制出跟踪特性良好的铬硅薄膜电阻。

会议

铬硅薄膜电学性能跟踪控制制造工艺

具有环形阴极新结构的高压SOI器件

提出具有环形阴极的横向高压SOI器件新结构，该结构采用环形阴极，利用电场的曲率效应以提高耐压。作为应用实例，在3μm埋氧20μm顶硅上设计出耐压大于600V SOI LDMOS，与常规结构相比，新结构耐压有6.74％的提升，而导通电阻仅增加2.14％。该结构与常规CD工艺完全兼容，不增加工艺难度。

会议

绝缘体硅晶片功能结构材料性能数值分析

一种BiCMOS工艺器件耐压特性的优化研究

介绍了在一种互补双极CMOS兼容工艺中通过减压/低温外延增加有效外延层厚度，及采用LDD结构，分别提高BJT和MOSFET耐压特性的工艺与器件优化方案和结果。利用Silvaco TCAD工具，对工艺及器件进行了模拟仿真，并制作出BVDSS=18V～20V的MOS管和BVCEO>12V，fT>4.2GHz的NPN管，有效提高了器件的耐压特性，扩展了该工艺的应用范围。

会议

BiCMOS器件材料力学结构参数工艺优化

截止频率为22GHz的梳状结构SiGe HBT研究

介绍了双胞10叉指集电极上引出结构的SiGe HBT，其BVCBO和BVCEO分别为11V和6V，Early电压为37v。在Ic=40mA，Vce=4V的条件下，测得其截止频率fT可达22GHz，最高振荡频率可达12.8GHz(未作去嵌入)。

会议

锗硅异质结双极晶体管结构设计制造工艺性能测试

SiGe HBT基极串联电阻的提取

根据Y参数分析的特点，通过对共发射极交流小信号等效电路进行合理的简化，同时考虑到发射极串联电阻的影响，提出了一种新的SiGe HBT基极串联电阻的提取方法。采用这种方法，利用SiGe HBT交流小信号参数的器件模拟结果和实测数据，提取了包括基极串联电阻在内的小信号等效电路模型参数，并据比研究了连接基区横向宽度对基极串联电阻的影响，该方法的有效性也从中得到了验证。

会议

锗硅异质结双极晶体管参数提取电学性能数值分析

新型复合栅结构SONOS存储器的性能研究

使用新开发SONOS器件模拟器进行SONOS器件的电学特性模拟和评估。模拟器基于基本物理模型，详细考虑了SONOS栅介质层中的载流子隧穿、俘获、复合、发射和载流子堆积过程，并且能够计算拥有复合栅介质的SONOS器件；可以有效地评估及优化SONOS存储器的设计。模拟了采用复合的隧穿介质层和高-k阻挡介质层，来改进SONOS的电学性能。改进的SONOS器件在保持与传统SONOS器件相同保持栉陛的情况下

会议

SONOS存储器电学性能结构参数数值模拟

不同负载功率下VDMOS管X射线的辐射效应研究

利用X射线对在不同负载条件下的VDMOS进行了辐射试验，观察到VDMOS不同的辐射行为，在较大的负载情况下，VDMOS阈值电压漂移发生了“回弹”(rebound)，比无辐射情况下更大，表明VDMOS在大功率负载情况下发生了辐射退火效应，辐射损伤在大功率负载条件下得到了部分修复。及时退火效应导致阈值电压漂移的回弹主要因素，可以认为是VDMOS弱反型界面态电荷的退火引起，等效电荷量为-2.3×1011

会议

VDMOS器件电磁辐射性能测试数值分析

870-1OOO MHz 360W硅微波脉冲大功率管

报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在上述频带内，脉宽10μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于360w，增益大于8.5dB，效率大于50％。

会议

微波晶体管结构特征制造工艺技术创新

纳米MOS器件栅泄漏电流的模拟分析

采用量子模型，研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅泄漏电流，该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解，特别适用于高k栅介贡和多层高k栅介质纳米MOSFET，具有概念简单，运算效率高、求解稳定的特点，模拟得出栅极电流与实验结果符合。研究结果表明，采用Al2O3栅介质材料对栅电流的减少有明显的作用。为最大限度地减少MOS器件的栅电流，需要优化叠栅结构中界面层的厚度。对器件

会议

单极晶体管电学性能泊松方程模拟分析

聚酰亚胺薄膜工艺及其在MEMS中的应用

介绍了聚酰亚胺薄膜的制备工艺，研究了薄膜的刻蚀特性，发现湿法腐蚀得到的聚酰亚胺薄膜图形受最小尺寸的限制。对于O2等离子刻蚀，改变参教得到了刻蚀速率随O2流量和功率的变化曲线；对于RIE干法刻蚀，通过两次测量得到了更加精确的刻蚀速率。测量了薄膜的应力特性、硬度、杨氏模量及化学试剂对其的腐蚀性质。聚酰亚胺薄膜在SiC MEMS加工中作为牺牲层，重点研究了退火对释放后结构应力的影响，找到了在材料允许温度

会议

聚酰亚胺薄膜工艺流程刻蚀工艺性能评价微机电系统

功率集成电路中抗串扰新隔离结构

其他学术论文