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ＩＧＢＴ的关断特性和通态压降之间存在比较尖锐的矛盾，压降大关断特性好，关断特性好通态特性又差，这是设计和制造过程中要解决的主要问题之一。用什么来控制它们的折衷关系是人们所关心的，手段亦不少。该文认为可用控制ＩＧＢＴ中的ＰＮＰ管电流增益α〈，ＰＮＰ〉（或β），可以使二者获得较好的折衷。可做出压降较低关断时间不太长的ＩＧＢＴ器件。但是佳β值范围将随基区宽度Ｗ〈，Ｒ〉和少子寿命的不同而不同。