1-mm SiC多指栅微波功率器件研究

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：LOVE85954709

【摘要】

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本文通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出了可行的工艺流程,并且制造出单栅宽100um,总栅宽1mm,栅长0.8um的n沟道4H-SiCMESFET,其微波特性测试结果:在2GHz、Vds=30V时,最大

【作者】

：

陈刚钱伟陈斌柏松

【机构】

：

南京电子器件研究所,210016

【出处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

最大输出功率功率附加效率栅宽微波特性漏极效率工艺流程工艺技术测试结果制造栅长增益设计沟道

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本文通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出了可行的工艺流程,并且制造出单栅宽100um,总栅宽1mm,栅长0.8um的n沟道4H-SiCMESFET,其微波特性测试结果:在2GHz、Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19﹪,漏极效率为28.7﹪.

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