SiO<,2>单晶在干摩擦条件下摩擦磨损机理研究

来源 :第五届全国青年摩擦学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lxy272012
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对SiO<,2>单晶与Si<,3>N<,4>在干摩擦条件下的摩擦学特性进行了考察,并用JSM-5600LV扫描电子显微镜对SiO<,2>单晶表面摩擦轨迹的微观结构进行了研究。研究结果表明:在低负荷、干摩擦条件下,SiO<,2>单晶与Si<,3>N<,4>摩擦时,SiO<,2>单晶的磨损由轻微到严惩磨损分为3个阶段,其磨损机理为塑性剪切→塑性剪切+磨粒磨损→脆性断裂。
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