【摘 要】
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半导体材料的精确有序掺杂一直是材料改性方面的热点和难点。我们利用分步合成策略，在原子尺度上实现了过渡金属离子掺杂剂在以纳米簇合物为构筑单元的半导体固态材料中的
【机 构】
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苏州大学独墅湖校区,工业园区仁爱路199号,215123
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半导体材料的精确有序掺杂一直是材料改性方面的热点和难点。我们利用分步合成策略，在原子尺度上实现了过渡金属离子掺杂剂在以纳米簇合物为构筑单元的半导体固态材料中的有序分布和精确掺杂。在不破坏具有空心“缺陷位”结构的超四面体Cd-In-S团簇(～2 nm)的前提下，过渡金属离子(CuⅠ、MnⅡ)可扩散入团簇内部“缺陷位”，实现定向掺杂。相较于其空心无核的母体三元纳米团簇，包含铜镉铟硫四元纳米簇合物的晶态材料展现了明显的吸收光谱红移现象和增强的光电流响应信号；包含锰镉铟硫四元纳米簇合物的半导体晶态材料同样展现了较大红移的特征Mn2+荧光光谱。此外，铜锰共掺杂产物拓宽了原有固态材料的发光范围，使其成为潜在的白光发光材料。该项研究成果充分体现了精确掺杂在系统调控原有骨架材料光电性能和发光性能中的作用。该研究方法为精细调节半导体材料光电、发光性能提供一种特殊的路径。
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