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X射线辐照源由于其具有安全、剂量率控制准确等优点，特别适用于半导体器件和电路的抗总剂量辐照加固试验。本文首先从电离辐照导致氧化层陷阱电荷和界面态的物理形成过程讨论了X射线总剂量辐照试验技术的可行性，并与60Coγ射线总剂量辐射效应进行比较，结果发现SOI NMOS器件中X射线与60Coγ射线总剂量效应比例值与辐射偏置和氧化层厚度有关。采用10ke VX射线对MOS器件和E2PROM器件进行总剂量试验，发现栅极动态偏置频率越大，总剂量效应对器件的影响越小;而E2PROM器件在Write状态时，辐照后器件阈值电压负向漂移，在Erase状态时，辐照后阈值电压正向漂移。