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采用ECR等离子体活化氮源低温生长GaN
【机 构】
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理工大学电磁工程系
【出 处】
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第五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1996年期
其他文献
氮化硅陶瓷的高价格限制了其广泛应用，通过以廉价的耐火材料级氮化硅粉末为起始粉料合成了氮化硅陶瓷并说明这种廉价的氮化硅陶瓷适合在常温下的广泛作用。