【摘 要】
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MoS2单层是能隙适中(～1.8 eV)的直接带隙半导体,作为石墨烯的互补材料,MoS2在光电子器件、太阳能电池等方面有着广泛的应用前景.在MoS2走向应用化的道路上,实际器件迁移率远低
【机 构】
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东南大学物理系,南京,211189
【出 处】
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第十三届国际凝聚态理论与计算材料学会议(The 13th International Conference on Con
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MoS2单层是能隙适中(～1.8 eV)的直接带隙半导体,作为石墨烯的互补材料,MoS2在光电子器件、太阳能电池等方面有着广泛的应用前景.在MoS2走向应用化的道路上,实际器件迁移率远低于理论值一直困扰着学术界.我们结合变温输运测量、TEM、DFT计算以及TB近似,阐明了MoS2中的电子输运机制:本征硫空位缺陷在能隙中引入缺陷态,在低载流子浓度下,电子由Bloch波变为局域在缺陷态附近的局域化电子,电子输运只能通过局域态之间的跃迁实现,限制了二硫化钼的本征迁移率,随着载流子浓度的提高,电子传输将由跃迁传输转变为扩展态传输,迁移率将会提高.我们通过理论计算进一步发现,MPS分子修复MoS2缺陷的过程是个放热反应,活化能较低,实验上是可行的.实验合作者对样品进行MPS处理,大大降低了该样品的缺陷浓度,电导率也随之提高了2-3倍,这进一步证实了我们前面模型的正确性.
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