【摘 要】
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由于HfO2薄膜具有许多优异的物理特性，使它在现代电子学器件方面早已获得应用。本文以原子层沉积(ALD)技术在Si(001)衬底上制备的超薄非晶HfO2薄膜样品为典型实例，简要介绍
【机 构】
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电子科技大学能源科学与工程学院,成都,611731
【出 处】
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综合电子系统技术教育部重点实验室暨四川省高密度集成器件工程技术研究中心2012学术年会
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由于HfO2薄膜具有许多优异的物理特性，使它在现代电子学器件方面早已获得应用。本文以原子层沉积(ALD)技术在Si(001)衬底上制备的超薄非晶HfO2薄膜样品为典型实例，简要介绍X射线反射率(XRR)方法测量该薄膜厚度的原理。在本文的XRR实验中，我们对两个不同厚度的HfO2薄膜的XRR谱图进行了详细分析，通过对实测XRR曲线和理论计算拟合，我们准确获得了两个样品的各膜层厚度信息。
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