【摘 要】
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The dream of epitaxially integrating Ⅲ-Nitride semiconductors on silicon is being fulfilled through the R&D effort of academia and industry, which is driven by the great potential of GaN-on-Silicon te
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件研究部,中科院/江苏省纳米器件重点实验室江苏省苏州工业园区若水路398号A630,邮编215123
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The dream of epitaxially integrating Ⅲ-Nitride semiconductors on silicon is being fulfilled through the R&D effort of academia and industry, which is driven by the great potential of GaN-on-Silicon technology in improving the efficiency yet at a much reduced cost for solid state lighting and power electronics.This epitaxial integration was hindered by two major technological challenges.The large lattice mismatch between GaN and Si (~17%) often causes a high density of dislocation defects, and the huge misfit in the coefficient of thermal expansion(~54%) results in crack network formation in the GaN epitaxial film.
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铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)不仅具有较高的光吸收系数(＞104cm-1)和与太阳能光谱相匹配的禁带宽度(约为1.50 eV),而且其组成元素在地壳中储存量丰富、毒性低,被认为是一种绿色、廉价、适合大规模生产的太阳能电池吸收层材料.为满足光伏技术的高效率和低成本的要求,本文采用便宜低毒的乙二醇甲醚为溶剂,氯化铜、氯化锌、硫化亚锡为金属源,硫脲为硫源,单乙醇胺为添加剂制备溶胶-凝胶,通过旋涂法结合改
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