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基于自主开发的SOI高低压兼容工艺，研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性，分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流片后的TLP测试结果，发现NMOS和PMOS器件的ESD特性有很大的差别，尤其是PMOS器件没有骤回。最后讨论了改变器件的沟道长度对其ESD特性的影响。
基于SOI工艺的低压MOSFET器件ESD特性研究
【摘 要】
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基于自主开发的SOI高低压兼容工艺，研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性，分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流片后的TLP测试结果，发现NMOS和PMOS器件的ESD
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2011年期
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