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该文介绍了一种高性能ＢｉＣＭＯＳ工艺技术，并采用该技术研制出ＢｉＣＭＯＳ电压比较器，这一比较器在电源电压Ｖ<,DD>＝１０Ｖ、Ｖ<,SS>＝０Ｖ，负载Ｃ<,L>＝２０ｐＦ时，输出波形上升、下降时间分别为１２ｎｓ、７ｎｓ。
高性能ＢｉＣＭＯＳ工艺技术及应用
【摘 要】
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该文介绍了一种高性能ＢｉＣＭＯＳ工艺技术，并采用该技术研制出ＢｉＣＭＯＳ电压比较器，这一比较器在电源电压Ｖ＝１０Ｖ、Ｖ＝０Ｖ，负载Ｃ＝２０ｐＦ时，输出波形上升、下降时间分别为１２ｎｓ、７ｎｓ。
【机 构】
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工业总公司771所
【出 处】
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第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议
【发表日期】
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1995年期
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