THCR诱导的花状ZnO控制合成及其可见光催化性能研究

来源 :第十五届胶体与界面化学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangyuange

【摘要】

：

　　ZnO 是一种室温下具有直接宽带隙3.37 eV 和较大的电子结合能(60 meV)的半导体材料[1].ZnO 半导体廉价易得且合成方法简单，已被广泛应用于太阳能电池、发光材料、X 射线导

【作者】

：

王小三姚玉峰沈明范国康

【机构】

：

扬州大学化学化工学院,江苏扬州,225002

【出处】

：

第十五届胶体与界面化学会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

诱导剂 ZnO 控制合成可见光催化半导体材料太阳能电池气体传感器电子结合能

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　　ZnO 是一种室温下具有直接宽带隙3.37 eV 和较大的电子结合能(60 meV)的半导体材料[1].ZnO 半导体廉价易得且合成方法简单，已被广泛应用于太阳能电池、发光材料、X 射线导体以及气体传感器[2].本文以氨水为络合剂，以自行合成的间苯二酚己基杯[4]芳烃表面活性剂(THCR)为诱导剂，通过简单回流方法合成了形貌和尺寸较为均一的粉色花状ZnOTHCR复合微纳材料.

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