【摘 要】
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上海技术物理研究所已完成了第二代256×256高帧频电阻阵列和第三代128×128高占空比电阻阵列的制造并于近期对两种器件进行了主要性能测试和红外场景投射演示.256×256
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海,200083
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上海技术物理研究所已完成了第二代256×256高帧频电阻阵列和第三代128×128高占空比电阻阵列的制造并于近期对两种器件进行了主要性能测试和红外场景投射演示.256×256电阻阵列的占空比达到15％,有效像素率达到99.9％以上,最高中波红外表观温度310℃,最高长波红外表观温度215℃,最大温度非均匀性小于12％,辐射上升时间4ms,辐射下降时间1.6ms,器件帧频达到200Hz.128×128电阻阵列器件的占空比达到53％,最高中波红外表观温度达到258℃,最高长波红外表观温度180℃,辐射上升时间4.7ms,辐射下降时间1.2ms,但是存在数量可观的无效像素,而且温度非均匀性也比较严重,还需要进行工艺改进和优化.
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