【摘 要】
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Sb-dope衬底简介N+Sb-doped衬底特点:生长外延时,Sb几乎没有自掺杂效应;CMOS工艺热处理(即使高达1200℃)过程中,Sb的外扩散最小;N+ (Ph-doped):扩散系数大,外延制程中,自掺杂
【出 处】
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上海市科协第十二届学术年会专题学术年会——上海市有色金属学会半导体材料专业委员会2014年(第23届)学术年会
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Sb-dope衬底简介N+Sb-doped衬底特点:生长外延时,Sb几乎没有自掺杂效应;CMOS工艺热处理(即使高达1200℃)过程中,Sb的外扩散最小;N+ (Ph-doped):扩散系数大,外延制程中,自掺杂效应大;N+ (As-doped):亦有自掺杂效应;氧化物巨毒,环保问题;P+(B doped):更低的电阻率,更好的均匀性,但COMS工艺中当热处理温度高达1200℃时,B的外扩散比As、Sb还大.所以,重掺Sb衬底具有独特的优越性.
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