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对ICPCVD(感应耦合等离子气相沉积)设备功能进行了分析,利用该设备在低温(20℃)下进行了工艺实验,通过对功率、压力、流量等关键参数与二氧化硅淀积速率和折射率的关系分析,对淀积条件与淀积速率折射率的影响给出了说明,获得了低温下淀积二氧化硅薄膜的工艺条件.并对该工艺条件的应用前景进行了分析对比,指出该工艺可以应用于低温剥离工艺和有机聚合物光路以及MEMS电路制造中对低温和损伤的要求.
等离子淀积过程是一个复杂的物理和化学反应过程，相比于PECVD(等离子增强气相沉积)法需要在300℃才能获得优异的二氧化硅薄膜，本文通过对ICPCVD设备和上艺的研究，获得了在低温(20℃)下淀积二氧化硅的工艺条件，并对工艺条件进行了压力、功率、硅烷流量方面的优化，为敏感器件和低温聚合物器件的工艺制备提供了一种选择。