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GaAsSb/InAs/GaAsⅡ类量子点结构MBE生长研究
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重 点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十二届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2017年期
其他文献
体材料带间跃迁和量子阱子带间跃迁，是目前红外探测器常采用的两种工作机制.而基于低维半导体材料带间跃迁工作机制的探测器，一直以来被认为不具有制备高性能器件的可能性.
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