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由于熔封工艺对中国高频浅结器件的性能和可靠性带来极大的危害，因此制约了熔制工艺的应用。该文提出的新的封装工艺技术－即局部加热熔封工艺技术，在整个熔封过程中芯片表面热温度保持在２０５°Ｃ以下。这防止了器件性能和可靠性的退化。该文重点研究了该工艺过程中芯片的受热情况，并对工艺原理、工艺条件和可靠性等进行了较详细的分析研究。