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纳米单体磁输运测量仪器设计、制造和应用
【机 构】
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兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室 兰州大学信息科学与工程学院,兰州 730000
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年11期
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由于自旋塞贝克(SSE)效应[1]及自旋霍尔(SHE)效应等一系列自旋相关的现象被陆续发现，引起了人们对纯自旋流研究的极大热情。在所有非磁性金属中，由于Pt 具有较大的自旋轨道耦合效应，在纯自旋流现象的产生和探测中都不可或缺，因而备受关注[2]。
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反铁磁材料常被用作磁性交换偏置体系的钉扎层，因而在磁记录等领域有着广泛的应用。反铁磁半导体材料可以实现和铁磁半导体的对接，对实现半导体自旋电子学有着重要的意义。在交换偏置体系中，最重要的是界面上的自旋结构，因此研究和表征反铁磁的表面自旋结构必将有助于深入理解交换偏置的本质。
拓扑绝缘体同时具有绝缘体和导体双重性，即在块材内部是有帯隙的绝缘态，但在表面却存在无帯隙的金属表面态。拓扑绝缘体的表面金属态完全是由材料的体电子态的拓扑结构所决定，是由对称性所决定的，基本不受到杂质与无序的影响。
众所周知，由于铁磁/反铁磁的交换偏置现象，反铁磁在磁存储结构中作为铁磁层的钉扎层有着重要的应用。近年来，随着自旋转移力矩在反铁磁中的研究以及与铁磁类似的隧穿各向异性磁电阻在反铁磁中的发现，使得反铁磁自旋动力学概念被提出，并掀起了反铁磁作为磁存储器件的研究热潮[1]。