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【摘 要】
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为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层，研究了PECVD的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的
【机 构】
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Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2012年期
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