PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究

• 作 者: Wentao Guo Manqing Tan Jian Jiao Xiaofeng Guo Ningning SUN 郭文涛 谭满清 焦健 郭小峰 孙宁宁
• 机 构: Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
• 出 处: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2012年期
• 关键词: PECVD SiO2薄膜 腐蚀速率 致密性 射频功率 工作压力 原子力显微镜 实验结果

　　为了在高功率980nm激光器工艺中生长出高质量、均匀性好、致密性高的SiO2介质层，研究了PECVD的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的生长速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性，通过降低反应室的工作压力、提高RF射频功率和SiH4流量可以达到降低BOE腐蚀速率，提高SiO2薄膜致密性的目的，采用原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌，对实验结果进行了验证。本文通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为91.8A/s的SiO2薄膜。