论文部分内容阅读
由于与成熟的硅工艺的兼容特性和近红外波段的发光特性，硅锗纳米材料在光电器件应用方面具有很大的前景，但是，硅锗材料属于间接带系，其光电转换效率非常低。人们尝试了从不同的途径来改善硅锗材料的光电特性，如增加光吸收，提高自发辐射复合率。如何提高硅锗材料的光电效率仍然是基础研究和应用研究一个非常大的挑战。