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半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.采用X射线多介质工艺制作T形端,其形貌清晰,线条基本可控,为MMIC制作提供了可靠的工艺.
多介质工艺X射线光刻制作T形栅
【摘 要】
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半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.
【机 构】
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中科院微电子中心(北京)天津大学电子信息工程学院(天津)中国科技大学国家同步辐射实验室(合肥)
【出 处】
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中国真空学会薄膜技术学术交流会
【发表日期】
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2001年10期
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