【摘 要】
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为了获得制备简单,性能优良的红外窗口保护膜.采用射频磁控溅射制备了不同B 组份的Bx Ga1－x P 薄膜,研究了其薄膜结构、光学性质和薄膜硬度.分析表明：随着B 组分的增加,Bx
【机 构】
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西安应用光学研究所,陕西西安710065
【出 处】
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第十届全国激光技术与光电子学学术会议
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为了获得制备简单,性能优良的红外窗口保护膜.采用射频磁控溅射制备了不同B 组份的Bx Ga1－x P 薄膜,研究了其薄膜结构、光学性质和薄膜硬度.分析表明：随着B 组分的增加,Bx Ga1－x P 薄膜表现为(111)择优取向.由于制备工艺限制,随着B 组份的增加,薄膜中形成B 的富集区,导致缺陷增多,薄膜吸收增大.B 组份增加有助于提高薄膜硬度,但由于工艺限制,B 组份过大,薄膜缺陷增加硬度反而减小.
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