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以往银中杂质测定多采用化学法、发射光谱法、ICP-AES法,在测定高纯银中杂质时,往往还需要化学前处理过程,分析流程长且易沾污.银同位素的质量数较大,很适合ICP-MS测定.本项研究通过对干扰的考察、测定同位素的选择、参数的优化和内标法的考察、测定同位素的选择、参数的优化和内标法等项试验,建立高纯银中Li、Cr、Mn、Ni、Co、Cu、Sr、Mo、Cd、Bi等痕量杂质的ICP-MS直接测定方法.