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本文以Cr-Si<,2>为靶材,采用高频磁控溅射工艺,试制出一种方阻为2kΩ/□的电阻薄膜,其TCR可优于±20ppm/℃,已应用在产品中,取得了较好的效果.
采用磁控溅射工艺试制低TCR的Cr—Si<,2>薄膜电阻
【摘 要】
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本文以Cr-Si为靶材,采用高频磁控溅射工艺,试制出一种方阻为2kΩ/□的电阻薄膜,其TCR可优于±20ppm/℃,已应用在产品中,取得了较好的效果.
【机 构】
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北京飞宇微电子有限责任公司
【出 处】
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第十三届全国混合集成电路学术会议论文专辑
【发表日期】
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2003年期
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