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本文测量了传统工艺制备的具有不同非线性系数的ZnO—Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的I-V特性与介电谱，通过对I-V特性和介电谱的分析得出在小电流区和大电流区残压比的大小，非线性小的压比低，非线性大的压比高。在小电流区，非线性高的试样残压更接近于压敏电压，在大电流区，隧道击穿电流的导电机理是热场致发射。