【摘 要】
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为研究p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结近红外光电二极管的特性,采用直流磁控溅射铁硅合金靶、硅靶和铝靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备p-β-FeSi2/n
【机 构】
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Department of Electronic Engineering, Xi'an University of Technology, Xi'an 710048, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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为研究p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结近红外光电二极管的特性,采用直流磁控溅射铁硅合金靶、硅靶和铝靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC衬底上制备p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结,通过X射线衍射(XRD)对制备的薄膜样品的组分进行了表征,结果表明在900℃的温度下退火5分钟,得到了多晶β-FeSi2薄膜。SEM显示β-FeSi2/6H-SiC界面清晰。通过β-FeSi2薄膜透射诺测量,得到β-FeSi2薄膜吸收曲线和光能隙。实验制作的P-β-fesi2/n-6H-SiC异质结具有整流特性：在近红外激光管(1.31μm,5mW)照射下,外加偏置-1V时,室温光电响应度为16.5mA/W。
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