退火气氛中氧气的掺入对p-GaN退火的影响

• 作 者: 吴亮亮 王辉 张宝顺 杨辉 赵德刚 江德生 陈平 乐伶聪 李亮 刘宗顺 张书明 朱建军
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米
• 出 处: 第十三届全国固体薄膜学术会议
• 发表日期: 2012年5期
• 关键词: p-GaN 热退火 氧气

　　本文研究了在退火气氛中掺入氧气对p-GaN 激活的影响。当样品在750℃,退火气氛为N2：O2为4：1时得到最小的电阻率。实验表明在纯N2退火气氛中掺入氧气,能更有效率地减少钝化p-GaN中Mg受主的氢的含量。虽然在更高的温度下,掺氧退火能进一步减少样品中氢的含量,但是更多的氧会掺入样品形成与氧有关的受主,最终导致p-GaN样品的电阻率增加。