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本文介绍了在反激式变换器中引入准谐振技术的优点，分析了现有反激式电源管理芯片实现准谐振的去磁检测方法及其缺陷，提出了一种基于MOSFET漏源电压微分的电压谷底检测方法，实现了MOSFET的谷底开通。最后进行了仿真和实验，证明了该方法的可行性。
MOSFET漏源电压谷底时刻微分检测法
【摘 要】
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本文介绍了在反激式变换器中引入准谐振技术的优点，分析了现有反激式电源管理芯片实现准谐振的去磁检测方法及其缺陷，提出了一种基于MOSFET漏源电压微分的电压谷底检测方法，实现
【机 构】
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华南理工大学电力学院,广州市 510640
【出 处】
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第三届中国高校电力电子与电力传动学术年会
【发表日期】
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2009年期
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