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外延生长法在保证了材料高质量的同时,往往由于生长的样品无法从衬底上剥离出来而限制了其应用.本文采用分子束外延法在砷化镓衬底上生长了高质量的氧化锌薄膜.在常规的快速煺火之后,这些薄膜表现出了p型导电特性,其空穴浓度高达1020/cm3.但是在溶解掉氧化锌层之后,剩下的衬底依然表现出强p型,可见p型导电很可能来自氧化锌中的锌替换了砷化镓衬底中的镓.